SotB protein, Erwinia chrysanthemi
National Institutes of Health
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【はじめに】MOSFET の微細化低電圧化が進むにつ れ,ランダムばらつきが深刻な課題として挙がって いる.Bulk MOSFETにおけるランダムばらつきの主 原因は,離散不純物揺らぎ(RDF)である.RDF…
【はじめに】MOSFET のさらなる微細化や低電圧化を実現する上で,ランダムばらつきは深刻な課題で ある.RTN は時間依存を有するドレイン電流ばらつきであり,その振幅は正規分布からはずれる[1,2]. また,従来の Bulk FET…
The SOI-MOSFET has three surfaces, for which electrostatic potential values are very much dependent on applied bias conditions…
............................................................................................................. i Acknowledgments…