パラフィン系高分子材料は電気的・化学的に 不活性であるため、表面保護コーティングへの 応用が期待される。しかしパラフィンは溶媒に 不溶であり、ウェットプロセスによる製膜は困 難である。そこで本研究では無溶媒プロセスで ある昇華法と真空蒸着法でパラフィン系薄膜 を作製し、その特性を比較した。 製膜材料としてサゾール H1(サゾール社製 粒状パラフィン)を用い、Pyrex ガラス基板上 に製膜を行った。昇華法ではガラス管内に材料 と基板を設置し、高真空に排気した後に封じ切 り、オーブン中 400°Cで 4時間加熱して製膜し た。真空蒸着法では高真空に排気したチャンバ ー内で材料をクヌードセンセルから蒸発させ、 基板温度室温で 30分間薄膜を堆積させた。 昇華法で作製した膜は膜厚約 700 nm、表面 粗さ Raは 54.6 nmであった。一方、真空蒸着 法で作製した膜は膜厚約 300 nm、Raは 4.3 nm であった。Fig. 1にそれらの光学顕微鏡像を示 す。昇華法による膜は部分的に凝集した不均一 な膜であるが、真空蒸着では透明で均質な膜が 得られた。 Fig. 2に XPS測定結果を示す。昇華法による 膜は C1s (284.2 eV)の他に Si2s (149.7 eV)、 Si2p1/2 (99.8 eV)、及び O1s (543.1 eV)のピーク が現れた。これらは基板由来のピークと考えら れ、昇華法による膜は基板表面を完全に被覆し ていない可能性がある。一方、真空蒸着膜では C1sのピークのみが観察され、基板表面を完全 に被覆していると考えられる。 昇華あるいは真空蒸着法によってパラフィ ン系高分子薄膜を製膜することができた。材料 及び製膜の原理は類似であるが、膜の特性は製 膜法によって大きく異なり、均質かつ被覆性に 優れた製膜には真空蒸着が有用であった。