Skip to search formSkip to main contentSkip to account menu

CMOS

Known as: CMOS based, Complementary Metal Oxide Semiconductor, Complementary-symmetry 
Complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) /ˈsiːmɒs/ is a technology for constructing integrated circuits. CMOS technology is used in… 
Wikipedia (opens in a new tab)

Papers overview

Semantic Scholar uses AI to extract papers important to this topic.
Highly Cited
2018
Highly Cited
2018
Στο τελευταίο αυτό μέρος του μαθήματος θα δούμε πώς μπορούμε να φτιάξουμε έναν απλό υπολογιστή χρησιμοποιώντας μόνο λίγους βασικούς δομικούς λίθους αυτού του μαθήματος: καταχωρητές, μνήμες, αθροιστές, πολυπλέκτες, και ένα απλό συνδυαστικό κύκλωμα ή μιά απλή FSM γιά να ελέγχει τα παραπάνω. Παρ' ότι πολύ απλός (απλοϊκός) --και εξαιρετικά αργός!-θα είναι ένας κανονικός υπολογιστής, ικανός να εκτελεί (σχεδόν) το κάθε πρόγραμμα· τα μόνα που θα του λείπουν θα είναι σχετικά δευτερεύουσες λεπτομέρειες, και όχι κάτι εννοιολογικά κεντρικό. Ο υπολογιστής μας θα είναι δεκαεξάμπιτος (16-bit), δηλαδή θα δουλεύει με λέξεις των 16 bits· δεν θα ασχοληθούμε καθόλου με bytes (8 bits). 
2009
2009
The strain imparted to 60 nm wide, silicon-on-insulator (SOI) channel regions by heteroepitaxially deposited, embedded silicon… 
2008
2008
Mesoporous polymer nanofibers were prepared by degrading sacrificial domains of block copolymers (BCPs) infiltrated into porous… 
2005
2005
Large area highly uniform and ordered polypyrrole nanowire and nanotube arrays were fabricated by chemical oxidation… 
2003
2003
Using SAXS, the melt morphol. of a polystyrene-poly(ethylene oxide) metallo-supramol. diblock copolymer, which is prepd. by… 
Highly Cited
2002
Highly Cited
2002
The electric field directed layer-by-layer assembly (EFDLA) method is used to fabricate a pattern of two different types of CdTe… 
Highly Cited
1999
Highly Cited
1999
The need to substitute SiO2 with low dielectric constant (κ) materials increases with each complementary metal–oxide… 
Highly Cited
1997
Highly Cited
1997
A large number of devices, a limitation of wiring, and very low power dissipation density are design constraints of future… 
Highly Cited
1996
Highly Cited
1996
  • B. Vinnakota
  • 1996
  • Corpus ID: 18690195
In this paper, we suggest that the dynamic power dissipation of acircuit can be used for fault detection. Even those faults which… 
1994
1994
In situ resistance versus temperature or time for reactions between 32 and 57.5 nm of titanium and undoped or doped…