본 발명은 금속 아미드, 실리콘 전구체 및 질소 소스 가스를 전구체로 플라즈마 분위기하에서 사이클릭 박막증착 방법을 이용해, 금속 실리콘 질화물 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 금속 실리콘 질화물 박막의 형성방법은 금속 아미드 전구체 펄스, 미반응의 금속 아미드의 퍼지에 의한 제거, 플라즈마 적용하에서 질소 소스 가스의 도입, 미반응의 질소 소스 가스의 퍼지에 의한 제거, 실리콘 전구체 펄스, 미반응의 실리콘 전구체의 퍼지에 의한 제거, 플라즈마 적용하에서 질소 소스 가스의 도입 및 미반응의 질소 소스 가스의 퍼지에 의한 제거 단계들을 포함한다.