본 발명은 나노공정에 적합한 낮은 전자온도를 갖는 플라즈마 발생 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 여기수단을 이용하여 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만든 후 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광소스를 이용하여 중성가스를 이온화 시켜 플라즈마를 생성시키도록 되어 있고, 그 장치는 내부에 피처리물이 수용될 수 있는 공간이 형성되고, 이 공간의 상부에는 투명 유전체가 씌워지며, 일측에는 내부 공간으로 중성가스를 공급하기 위한 주입구와 내부를 진공분위기로 만들기 위한 진공펌프가 접속된 챔버; 상기 챔버에 주입된 중성가스의 여기 에너지와 비슷한 에너지를 중성가스에 전달하여 중성가스를 여기 상태로 만들기 위한 여기수단; 여기 상태인 중성가스의 이온화 에너지와 여기 에너지 차이에 해당하는 에너지를 가진 광자를 상기 챔버 내부에 조사하여 중성가스를 이온화시켜 플라즈마를 생성시키기 위한 이온화수단;을 포함하여 이루어져 있다. 전자온도, 플라즈마, 여기, 이온화, 중성가스