Thin Epitaxial Silicon Regrowth Using Ion Implantation Amorphization Techniques

@inproceedings{Cole1988ThinES,
  title={Thin Epitaxial Silicon Regrowth Using Ion Implantation Amorphization Techniques},
  author={Robert Clay Cole and James F. Knudsen and R. J. Bowman and Paul M. Adams and John P. Hurrell and Louis Joseph Halle and Roger C. Newman and D. N. Jamieson},
  year={1988}
}
Implantation d'ions 28 Si + dans des couches de Si deposees sur des pastilles de Si, entrainant l'amorphisation des couches et la dispersion de la couche d'oxyde natif enterree. Un recuit thermique conduit a la recroissance epitaxique des couches amorphisees