• Corpus ID: 106728432

System mikrokomputerowy do pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych i układów scalonych

@article{Grecki2001SystemMD,
  title={System mikrokomputerowy do pomiaru parametr{\'o}w termicznych element{\'o}w p{\'o}łprzewodnikowych i układ{\'o}w scalonych},
  author={Krzysztof G{\'o}recki and Janusz Zarębski},
  journal={Metrology and Measurement Systems},
  year={2001},
  volume={8},
  pages={379-396}
}
No Paper Link Available
24 Citations
Background Citations
1
Methods Citations
1

24 Citations

Wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora SiC JFET

Parametry cieplne wybranych paneli fotowoltaicznych

Wpływ mocowania elementu półprzewodnikowego na jego przejściową impedancję termiczną

The influence of the selected factors on transient thermal impedance of semiconductor devices

  • K. GóreckiJ. Zarebski
  • Engineering
    2014 Proceedings of the 21st International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES)
  • 2014
The usefulness of the presented method is shown for the selected power MOS transistors operating at different cooling conditions.

Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych

Metodyka formułowania wielodrogowego nieliniowego skupionego modelu termicznego elementu półprzewodnikowego

Wpływ obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS

Elektrotermiczny model tranzystora MESFET

Modelowanie elektrotermicznych charakterystyk tranzystora MESFET w programie PSPICE

Praca dotyczy problematyki modelowania tranzystorow MESFET z uwzglednieniem zjawiska samonagrzewania. Omowiono tu postac autorskiego elektrotermicznego modelu rozwazanego elementu polprzewodnikowego.…

Investigations of SiC merged pin Schottky diodes under isothermal and non‐isothermal conditions

The paper concerns the problem of SPICE modeling of the merged pin Schottky (MPS) diodes. In the paper, the SPICE electrothermal model (ETM) of the SiC MPS diodes proposed by Infineon Technologies is…