Photoelectrical Properties of 1.3 μm Emitting InAs Quantum Dots in InGaAs Matrix

Abstract

Photoelectrical Properties of 1.3 μm Emitting InAs Quantum Dots in InGaAs Matrix A. Persano, A. Colaa,∗, L. Vasanelli, A. Convertino, G. Leo, L. Cerri, M.C. Frassanito and S. Viticoli a CNR-IMM sez. di Lecce, via Arnesano, 73100 Lecce, Italy Dipartimento di Ingegneria dell’Innovazione Universitá degli Studi di Lecce, Italy CNR-ISMN, sez. di Roma via Salaria… (More)

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