Evaluation of Potential Distribution of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

@inproceedings{Nakashima2017EvaluationOP,
  title={Evaluation of Potential Distribution of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy},
  author={Y Nakashima and Daichi Takeuchi and Katsunori Makihara and Akio Ohta and Mitsuhisa Ikeda and Seiichi Miyazaki},
  year={2017}
}
序>これまでに n-Si(100)基板上に高密度形成した Si 量子ドット 6 層集積構造において、Au 極薄上部 電極形成後、集積構造に-6V以上電圧印加した場合、上層ドット側への電界集中に起因して、基板から 注入された電子が上層 2層目近傍から弾道的に放出されることを報告した[1]。本研究では、硬 X線光 電子分光(Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy : HAXPES)を用いて、電圧印加時の Si量子ドット多重集 積構造における電界分布を調べた。 実験>n-Si(100)基板を RCA洗浄後、850°C、10%O2中で膜厚~2.5nmの酸化膜を形成し、希釈 HF処理 により、反応活性サイトとなる表面 OH 結合を形成した。その後、SiH4-LPCVD により高密度の Si ド ット(面密度: ~10cm)を自己組織化形成し、850°C、O2 雰囲気中でドット表面を酸化した。この希釈 HF処理からドット表面酸化までのプロセスを 6回繰り返すことで、6層の Siドット多重集積構造を形 成した。最後に、上部電極として極薄 Pt 層(~20nm… CONTINUE READING

Figures from this paper.