Corpus ID: 170998569

Contribution à la modélisation des transistors pour l’amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d’un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges

@inproceedings{Jardel2008ContributionL,
  title={Contribution {\`a} la mod{\'e}lisation des transistors pour l’amplification de puissance aux fr{\'e}quences microondes : d{\'e}veloppement d’un nouveau mod{\`e}le {\'e}lectrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pi{\`e}ges},
  author={O. Jardel},
  year={2008}
}
  • O. Jardel
  • Published 2008
  • Physics
  • Ce document traite de la modelisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont ete commercialises recemment et il y a par consequent un besoin de modeles precis permettant de decrire leurs caracteristiques electriques, afin de concevoir des amplificateurs. Le modele propose inclut une description dynamique des effets des pieges sur les caracteristiques electriques et des phenomenes thermiques, permettant d… CONTINUE READING
    19 Citations
    Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences

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