Aufdampfschidhten aus halbleitenden III-V-Verbindungen

@article{Gnther1958AufdampfschidhtenAH,
  title={Aufdampfschidhten aus halbleitenden III-V-Verbindungen},
  author={K. G{\"u}nther},
  journal={Zeitschrift f{\"u}r Naturforschung A},
  year={1958},
  volume={13},
  pages={1081 - 1089}
}
  • K. Günther
  • Published 1958
  • Zeitschrift für Naturforschung A
Es wird über Versuche zum Aufdampfen dünner Schichten der III—V-Verbindungen InAs und InSb berichtet. Das hierzu benützte „3-Temperaturverfahren“ fordert im wesentlichen eine kritische Einstellung der beiden — zur getrennten Verdampfung der Einzelkomponenten vorgesehenen — Tiegeltemperaturen T1 und T2 sowie der Temperatur T3 der Auffängerfläche. Dabei sind T1 und T2 so zu wählen, daß die leichtflüchtige Komponente in der Dampfphase im Überschuß vorliegt. Die geeignete Wahl der Trägertemperatur… Expand