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窒化物半導体の内部量子効率(IQE: Internal quantum efficiency)は、活性層の品質を表す重要な要 素である。この IQE を求めるには、通常、PL 強度の温度依存性が用いられる[1]。しかし、この 方法では、極低温での IQE を 1 であると仮定しており、欠陥密度が大きく極低温でも非輻射再結(More)
It is well-known that potential fluctuation in InGaN quantum-well layers is very large. To investigate its effect on the laser characteristics, we have found a new method to evaluate the degree of(More)
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