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CFn* radical assisted-ion beam etching (RAIBE) of silicon
La gravure du silicium, sous faisceau d'ions Ar + en synergie avec des radicaux CF n * (RAIBE), a ete etudiee en aval d'un plasma DC alimente en CF 4 . La production de SiF 4 en fonction du tempsExpand
Surface Modification of Hexatriacontane: A Comparison Between Exposure to An Electron-Assisted CF*n Radical Flux and to a Microwave Low-Pressure CF4 Plasma
Abstract Surface modification of hexatriacontane in a fluorocarbon plasma environment has been studied. Hexatriacontane, a C36 n-alkane deposited on Al foils, has been chosen as a model molecule toExpand
ESCA characterization of surface modification of hexatriacontane exposed to CFn* radicals in synergy with low energy electrons
Surface modification in a fluorocarbon plasma environment of hexatriacontane (HTC, a model molecule of high density polyethylene) has been studied. In order to get more insight on the revelantExpand
Physicochimie de surface de radicaux fluorocarbones assistee par bombardement d'ions ou d'electrons : simulation experimentale de l'interaction plasma-surface
La gravure plasma rie joue un role important dans le domaine de la microelectronique. Les mecanismes qui la gouvernent ne sont pas actuellement completement elucides. Afin de contribuer aExpand
Electron polymerization of CFn* radicals downstream a DC excited CF4 plasma
La polymerisation de radicaux CF n *, assistee par un faisceau d'electrons, a ete etudiee sur du silicium en aval d'un plasma DC alimente en CF 4 . L'epaisseur du film obtenu ainsi que son etet deExpand