Learn More
[背景・目的] AlGaN/GaN HEMTの高周波化にはエピ薄層化が必要であ る。一方で、2次元電子ガス(2DEG)チャネル層が表面に近づ くため、電流コラプスが顕著に表れることが高周波化の課題 となっている。電流コラプスは、ゲートとドレイン間の高電 界によって保護膜/GaN HEMT界面準位への電子注入が生じ、 その充放電に起因した 2DEGの空乏と考えられている。した(More)