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열필라멘트 장치에서 다이아몬드의 핵생성을 촉진시키기 위하여 기판에 음의 전압을 인가한 후, 다이아몬드의 핵생성에 미치는 여러 변수, 특히 필라멘트 온도와 기판 온도의 영향에 관하여 연구하였다. 핵생성 밀도는, 기판 온도를 다이아몬드 핵생성의 임계 온도인 730℃ 근처로 유지한 조건에서, 필라멘트의 온도를 올릴수록 증가하였다. 필라멘트 온도 2300℃,기판(More)
본 발명은 페로브스카이트(Perovskite)형 구조 산화물의 단결정 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 페로브스카이트형 구조 산화물의 단결정 성장 방법은, 페로브스카이트형 구조의 종자 단결정을 페로브스카이트형 구조 산화물의 다결정체에 접합시키는 단계(a); 및 상기 종자 단결정 및 다결정체의 접합체를 열처리하여 다결정체 안에서 종자 단결정과(More)