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본 발명은 박막형성방법 및 장치에 있어서, 타게트와 기판이 스퍼터공간 및 성막공간 내에 각각 위치하고, 성막공간내의 압력은 스퍼터공간내의 압력보다 낮게 유지되고, 스퍼터입자가 그리드판과 기판사이의 거리보다 긴 평균자유행정으로 성막공간내에서 운동하기에 충분한 압력으로 유지되며, 타게트를 스퍼터하여 기판상에 박막을 형성하는 것이다.
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