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우선, 제1 공정에서는, 실리콘 기판 위에 게이트 절연막을 개재하여 게이트 전극이 형성된다. 다음으로, 제2 공정에서는, 게이트 전극을 마스크로 한 에칭에 의해, 실리콘 기판의 표면층을 파내려 간다. 다음으로, 제3 공정에서는, 파내려 간 실리콘 기판의 표면에, SiGe층을 포함하는 제1 층을 에피택셜 성장시킨다. 계속해서, 제4 공정에서는, 제1 층(More)