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本发明提供一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法。 首先,提供一半导体基底,包括有一栅极结构,栅极结构具有一衬垫层位于相对的二侧壁上。 之后,形成一应力覆盖层,覆盖于半导体基底、栅极结构与不具间隙壁的衬垫层上。 接着,进行一活化工艺,再对应力覆盖层进行一蚀刻工艺,使应力覆盖层成为一自对准金属硅化物阻挡层。 然后,进行一自对准金属硅化物工艺,以于未覆盖有应力覆盖层的区域形成一金属硅化物层。