織田 望

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30p-L-1 第一原理分子動力学法によるa-Si:Hの欠陥と電子励起状態計算
6a-A2-16 V族結晶の高圧相
22aAB-8 シリコンクラスター超格子のL_ -エネルギー損失スペクトル解析
28aRF-5 アナターゼ型Nbドープ二酸化チタンの第一原理計算(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
19aYN-10 リンドープダイヤモンドの局所対称性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
29p-YL-5 第一原理分子動力学法によるアモルファス半導体欠陥の電子励起原子移動
6pSB-10 a-Si:Hの薄膜成長に関する第一原理計算(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
26pYL-11 ダイヤモンド中の硫黄-水素複合欠陥
31a-ZA-14 半導体ダイヤモンド中の水素II:アクセプター : ドナーとの共演
21aXJ-6 Cu(001)上のLiのc(5√2×√2)R45°構造の第一原理計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
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