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报道了调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-II QW)在极低温至室温(14—296K)条件下的各种光学性质. 反射光谱显示了对于非掺杂样品,激子( X )的跃迁起着支配作用,而只有在掺杂样品的光谱里展示了一个典型的负的带电激子( X - )的跃迁特征. PL光谱及其直线偏振度 P l 都显著地依赖于n型掺杂量和平行于QW生长方向的外加电场.(More)