20aPS-14 角度分解光電子分光によるSi(111)6.3×6.3-Ga表面下のホールサブバンドの分散測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)森田 誠, 武田 さくら, 加藤 有香子, 桑子 敦, 吉川 雅章, 大門 寛2007
25pPSB-8 シリコン反転層中の価電子サブバンドの面内方位依存性(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))桑子 敦, 武田 さくら, 加藤 有香子, 東條 直人, 大門 寛2006
23aYH-8 Si(111)7×7及び5×5-Ge表面電子状態における電子相関効果(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))武田 さくら, 西出 昌弘, 桑子 敦, 大門 寛2006
20aPS-15 Si(111)4×1-In表面下の反転層サブバンドの角度分解光電子分光測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)吉川 雅章, 森田 誠, 桑子 敦, 加藤 有香子, 武田 さくら, 大門 寛2007
22pPSA-74 角度分解光電子分光によるSiサブバンド分散 : 入射光方位依存性(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)武田 さくら, 桑子 敦, 森田 誠, 吉川 雅章, 大門 寛2007
22aXA-12 Si(111)上へのNa,Mg吸着初期過程のリアルタイムモニタリング(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))武田 さくら, 松田 和久, +4 authors 大門 寛2008