加勢正隆 | Semantic Scholar

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3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出

菊地吉男, 上杉文彦, 加勢正隆, 吉田正道, 渡辺和人, 橋本巌
16 August 1994

5a-X-3 CBED法よるイオン打ち込みされたSi中の欠陥の研究

上杉文彦, 菊地吉男, 加勢正隆, 渡辺和人, 橋本巌
16 September 1997

28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析

菊地吉男, 加勢正隆, 半田久美子, 上杉文彦, 渡辺和人, 橋本巌
1997

極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

野平博司, 品川盛治, +5 authors 服部健雄
Computer Science
2 June 2005

トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術( IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

宮下俊彦, 池田圭司, +20 authors 杉井寿博
Computer Science
SDM
17 January 2008

高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))

セルゲイピデイン, 森年史, +4 authors 橋本浩一
Computer Science
13 August 2004

29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物

菊池吉男, 上杉文彦, 加勢正隆, 吉田正道, 渡辺和人, 橋本巌
16 March 1995

Ion implantation apparatus and an ion implantation method

丹羽義幸, 加勢正隆
Materials Science
27 March 1998

65nmノード用高性能25nm CMOS技術( IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)

後藤賢一, 田川幸雄, +12 authors 杉井寿博
Computer Science
9 January 2004

25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析

菊地吉男, 上杉文彦, 渡辺和人, 長枝浩, 加勢正隆, 橋本巌
5 September 1998

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