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一种埋层的形成方法,包括;提供半导体衬底,所述衬底表面具有硬掩膜层,所述硬掩膜层具有开口;以硬掩膜层作为掩膜,在半导体衬底内形成深沟槽;在深沟槽底部进行掺杂,形成埋层。 所述埋层的形成方法,工艺步骤简单,不需要外延工艺来形成有源层,降低了工艺成本,并且能够同时在衬底内形成横向的隔离结构。