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3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出

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(57)【要約】 【課題】 ウェハ上空間に存在するパーティクルをｉｎ −ｓｉｔｕ・リアルタイムで計測し、パーティクル誘起 不良の発生を事前に防止する。 【解決手段】 プロセス装置１２中に浮遊しているパー ティクルによるレーリー散乱光やラマン散乱光を受光器 １３で電気信号に変換し、信号強度判定器１４に伝達す る。この判定器には、予めパーティクル発生状況とウェ…

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28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析

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