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本発明は、様々な金属(Cu/In/Zn/Ga/Sn)、セレンおよび/または硫黄を含む薄い半導体無機フィルムの調製方法に関する。 当該方法は、オキシマト配位子を有する金属錯体を含む分子状前駆体を使用する。 I−III−IV 2 タイプの銅に基づいた黄銅鉱を、周囲条件下で低温で高純度を伴って調製する。 薄膜を、光起電性パネル(太陽電池)において使用することができる。
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